XXIX Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Н. Новгород, 10--14 марта 2025 г.
Полупроводники

Регистрация с помощью второй гармоники изменений слабых напряжений в слоях HgCdTe при воздействии локального нагрева

М. Ф. Ступак^a, С. А. Дворецкий^b, Н. Н. Михайлов^b, С. А. Макаров^a, А. Г. Елесин<sup>a

a</sup> Конструкторско-технологический институт научного приборостроения СО РАН, Новосибирск, Россия
^b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия

Аннотация: Проведено исследование теплового воздействия слабым лазерным инфракрасным излучением в локальной точке слоя HgCdTe сложной гетероструктуры (013)HgCdTe/CdTe/ZnTe/GaAs с одновременным измерением сигнала второй гармоники нуль методом на “отражение”. Мощность воздействия составляла 0.8 mW в лазерном пучке диаметром $\sim$ 400 $\mu$m со временем облучения в течение 15 минут. Наблюдалось расщепление сигнала второй гармоники в максимумах с появлением дополнительных двух пиков. С увеличением времени воздействия до 15 минут величина сигнала второй гармоники в первоначальном максимуме уменьшилась до величины шумов системы измерений, с одновременным увеличением высоты дополнительных пиков от 3000 до 6000 единиц счета. После окончания лазерного воздействия форма сигнала второй гармоники восстанавливается до начального вида с уменьшением их величины до 1700–2200 единиц счета. Температура в точке воздействия измерялось с помощью тепловизора и составила в начале измерений 24.0$^\circ$С и в конце воздействия 24.6$^\circ$С.

Ключевые слова: напряжения, HgСdTe, вторая гармоника, лазер, нуль метод.

Поступила в редакцию: 06.03.2025
Исправленный вариант: 06.03.2025
Принята в печать: 05.05.2025

DOI: 10.61011/FTT.2025.07.61184.2HH-25

Реферативные базы данных:

•