Аннотация:
Методами туннельной спектроскопии контактов на микротрещине установлена многощелевая сверхпроводимость пниктидов CaKFe$_4$As$_4$, определены амплитуды и температурные зависимости микроскопических сверхпроводящих параметров порядка $\Delta_i(T)$. Получены температурные зависимости особенностей, вызванных андреевским транспортом: андреевского избыточного тока $I_{\mathrm{exc}}(T)$ и андреевской проводимости при нулевом смещении $G_{\mathrm{ZBC}}^{\mathrm{A}}(T)$. Также измерена температурная зависимость критического тока $I_{\mathrm{c}}(T)$. По данным $I_{\mathrm{exc}}(T)$, $G_{\mathrm{ZBC}}^{\mathrm{A}}(T)$ и $I_{\mathrm{c}}(T)$ оценены парциальные проводимости двух эффективных зон, показан доминирующий вклад “ведущих” зон с большой сверхпроводящей щелью в общую проводимость.