Аннотация:
Путем атомистического компьютерного моделирования рассчитаны высоты энергетических барьеров, препятствующих формированию и отжигу дефекта Стоуна–Уэльса в графене с адсорбированным на дефекте или в его непосредственной окрестности атомом водорода. Показано, что оба барьера значительно ниже, чем в отсутствие водорода. На основании анализа поверхности потенциальной энергии рассчитаны частотные факторы для двух различных путей трансформации Стоуна–Уэльса и найдены температурные зависимости соответствующих времен отжига дефекта. Результаты сопоставлены с расчетами из первых принципов и данными молекулярной динамики.