Эта публикация цитируется в 10 статьях

Физика поверхности, тонкие пленки

Инфракрасная спектроскопия слоев карбида кремния, синтезированных методом замещения атомов на поверхности монокристаллического кремния

С. А. Грудинкин^ab, В. Г. Голубев^a, А. В. Осипов^bc, Н. А. Феоктистов^abc, С. А. Кукушкин<sup>bcd

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
^c Институт проблем машиноведения РАН, г. Санкт-Петербург
^d Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого

Аннотация: Представлены результаты исследования методом инфракрасной (ИК) спектроскопии эпитаксиальных слоев карбида кремния, выращенных методом замещения атомов на поверхности монокристаллического кремния. В ИК-спектрах наблюдается полоса при 798 cm$^{-1}$, соответствующая ТО-фонону в решетке карбида кремния. Определены параметры разупорядоченного карбида кремния, находящегося на поверхности пор между эпитаксиальным карбидом кремния и подложкой кремния. В ИК-спектрах карбида кремния обнаружена полоса в области 960 cm$^{-1}$. Предложена гипотеза, согласно которой данная полоса соответствует энергии предсказанного ранее теоретически упругого диполя – упруго взаимодействующих атома углерода в межузельной позиции и кремниевой вакансии.

Поступила в редакцию: 08.06.2015

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2015, 57:12, 2543–2549

Реферативные базы данных:

•