RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика твердого тела // Архив

Физика твердого тела, 2015, том 57, выпуск 11, страницы 2125–2130 (Mi ftt11688)

Эта публикация цитируется в 7 статьях

Полупроводники

Эволюция морфологии алмазных частиц и механизма их роста в процессе синтеза методом газофазного осаждения

Н. А. Феоктистовab, С. А. Грудинкинb, В. Г. Голубевb, М. А. Барановc, К. В. Богдановc, С. А. Кукушкинacd

a Институт проблем машиноведения РАН, г. Санкт-Петербург
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
d Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследована эволюция морфологии поверхности алмазных частиц (АЧ), синтезированных методом газофазного осаждения (CVD) на кремниевых подложках. Обнаружено, что по достижении АЧ определенного критического размера, составляющего $<$ 800 nm, происходит структурная перестройка поверхности алмазных граней. Частицы, размер которых не превышает 100–300 nm, обладают хорошо ограненной поверхностью, покрытой гранями ориентаций $\{100\}$ и $\{111\}$. С увеличением размеров АЧ происходит изменение структуры их поверхности. Поверхность покрывается гранями ориентации $\{100\}$, окруженными разупорядоченной фазой. При еще большем увеличении размеров частиц (до $\sim$ 2000 nm) грани $\{100\}$ исчезают и АЧ покрываются высокоиндексными гранями. Предложена модель, объясняющая эволюцию морфологии поверхности АЧ. Согласно данной модели, в процессе эволюции АЧ с увеличением размера происходит смена механизма от послойного роста к нормальному росту, что и ведет к существенной перестройке всей поверхности АЧ. Вычислен критический размер двумерного зародыша, образующегося на гранях $\{100\}$ и $\{111\}$, при котором начинается смена механизма роста. Предложен метод управления морфологией АЧ в процессе их синтеза.

Поступила в редакцию: 20.05.2015


 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2015, 57:11, 2184–2190

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026