Эта публикация цитируется в 2 статьях

Полупроводники

Изотермическая релаксация тока в легированных монокристаллах силленита Bi$_{12}$SiO$_{20}$ : Ge

В. Т. Аванесян, Н. М. Абрамова

Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Приведены результаты изучения переходных изотермических токов в образцах монокристалла силиката висмута с примесью германия Bi$_{12}$SiO$_{20}$ : Ge при различных напряжениях и температурах. Установлено, что в исследуемых образцах в постоянном электрическом поле протекают электронные процессы, обусловленные накоплением в них значительных зарядов. Релаксация тока при различных температурах отвечает механизму переноса заряда, сформированного на энергетическом уровне в запрещенной зоне. В изученных кристаллах определены микропараметры, в частности, энергия активации локального уровня и частотный фактор, характеризующие релаксационные процессы, протекающие в исследуемом материале.

Поступила в редакцию: 30.04.2015

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2015, 57:11, 2170–2172

Реферативные базы данных:

•