Эта публикация цитируется в 18 статьях

Полупроводники

Плотность дислокаций в гетероэпитаксиальных структурах CdHgTe на подложках из GaAs и Si ориентации (013)

Ю. Г. Сидоров, М. В. Якушев, В. С. Варавин, А. В. Колесников, Е. М. Труханов, И. В. Сабинина, И. Д. Лошкарев

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращены эпитаксиальные слои Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te (КРТ) на подожках GaAs и Si ориентации (013). Введение промежуточных слоев ZnTe и CdTe позволило сохранить в эпитаксиальных слоях КРТ ориентацию, близкую к ориентации подложки, несмотря на сильное рассогласование параметров решеток. Структуры исследованы методами рентгеновской дифракции и просвечивающей электронной микроскопии. Установлены дислокационные семейства, преимущественно снимающие несоответствие параметров решеток. С помощью электронной микроскопии зарегистрированы $\Gamma$-образные дислокации несоответствия (ДН), для которых облегчена аннигиляция пронизывающих дислокаций. Измерены углы разворота решеток, вызванные формированием сеток дислокаций несоответствия. Показано, что плотность пронизывающих дислокаций в активной области фотодиодов определяется в основном сеткой дислокаций несоответствия, формирующейся на гетерогранице КРТ/CdTe. Снижение плотности пронизывающих дислокаций в пленке КРТ достигается при циклическом отжиге в условиях, когда максимально облегчается неконсервативное движение дислокаций. Плотность определялась по ямкам травления.

Поступила в редакцию: 13.04.2015

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2015, 57:11, 2151–2158

Реферативные базы данных:

•