Эта публикация цитируется в 15 статьях

Сверхпроводимость

Анизотропия и скейлинг магнитосопротивления в текстурированном высокотемпературном сверхпроводнике Bi$_{1.8}$Pb$_{0.3}$Sr$_{1.9}$Ca$_2$Cu$_3$O$_x$

Д. М. Гохфельд^a, Д. А. Балаев^ba, С. В. Семенов^ba, М. И. Петров<sup>a

a</sup> Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН, г. Красноярск
^b Сибирский федеральный университет, г. Красноярск

Аннотация: Исследовано магнитосопротивление текстурированного высокотемпературного сверхпроводника (ВТСП) Bi$_{1.8}$Pb$_{0.3}$Sr$_{1.9}$Ca$_2$Cu$_3$O$_x$+Ag при различных направлениях транспортного тока $\mathbf{I}$ и внешнего магнитного поля $\mathbf{H}$ относительно кристаллографических направлений ВТСП-кристаллитов. Когда $\mathbf{I}$ и $\mathbf{H}$ ориентированы вдоль плоскостей $ab$ кристаллитов и $\varphi$ – угол между $\mathbf{H}$ и $\mathbf{I}$, то анизотропная часть магнитосопротивления следует функциональной зависимости $\sin^2\varphi$, характерной для течения вихрей под действием силы Лоренца. Магнитосопротивление $R$ при $\mathbf{H}$, параллельном оси c кристаллитов ($\mathbf{H}\parallel c$), больше, чем $R$ при $\mathbf{H}\parallel ab$ для обоих случаев $\mathbf{I}\parallel c$ и $\mathbf{I}\parallel ab$. Коэффициент анизотропии $\gamma\approx$ 2.3 оценен из скейлинга зависимостей $R(H)$, измеренных при $\mathbf{H}\parallel c$ и $\mathbf{H}\parallel ab$. Учет магнитного поля, создаваемого транспортным током, позволяет выполнить скейлинг зависимостей $R(H)$ при различных значениях $I$. Предложена качественная картина протекания тока вдоль оси $c$ кристаллитов в текстурированном ВТСП.

Поступила в редакцию: 27.04.2015

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2015, 57:11, 2145–2150

Реферативные базы данных:

•