Эта публикация цитируется в 5 статьях

Физика поверхности, тонкие пленки

Механизм формирования нанопленок дисилицида иттербия на грани Si(111)

М. В. Кузьмин, М. А. Митцев, А. М. Мухучев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Экспериментально исследованы пленочные структуры Yb–Si(111) при различных толщинах пленок и температурах подложки 300–1500 K. Определены температуры, при которых начинается и заканчивается формирование дисилицида иттербия, его термостойкость и работа выхода. Показано, что образование дисилицида Yb происходит при сравнительно низких температурах. Предложен механизм, объясняющий этот факт. Этот механизм объясняет также, почему и каким образом иттербий трансформирует кремний в силицид, несмотря на то, что связь между атомами в кремниевом кристалле более прочная, чем в силициде.

Поступила в редакцию: 21.04.2015

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2015, 57:10, 2112–2116

Реферативные базы данных:

•