Эта публикация цитируется в 4 статьях

Сегнетоэлектричество

Низкоомные и высокоомные состояния в пленках титаната стронция, сформированных золь-гель-методом

Х. Сохраби Анараки^a, Н. В. Гапоненко^a, В. Г. Литвинов^b, А. В. Ермачихин^b, В. В. Колос^c, А. Н. Петлицкий^c, В. А. Иванов<sup>d

a</sup> Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
^b Рязанский государственный радиотехнический университет
^c ОАО "ИНТЕГРАЛ"
^d Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению

Аннотация: Продемонстрировано изменение сопротивления в структурах на основе титаната стронция, сформированных золь-гель-методом. Переход из высокоомного состояния в низкоомное осуществляется при достижении напряжения смещения на конденсаторной структуре кремний/диоксид титана/платина/титанат стронция/никель около 10 V для пленки титаната стронция толщиной около 300 nm. Электрическое сопротивление изменяется от единиц $\Omega$ до десятков k$\Omega$. Для более толстой пленки ($\sim$ 400 nm) напряжение переключения возрастает, тогда как сопротивление структуры в высокоомном состоянии достигает сотен kOmega. Предположительно основную роль в изменении сопротивления играют глубокие уровни, заселенность которых изменяется приложенным напряжением. Обсуждаются перспективы использования полученных пленок титаната стронция в мемристорных элементах памяти.

Поступила в редакцию: 30.03.2015
Принята в печать: 23.04.2015

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2015, 57:10, 2030–2033

Реферативные базы данных:

•