Эта публикация цитируется в 5 статьях

Полупроводники

Эффект воздействия $n$- и $p$-типа проводимости подложки Si(100) с буферным слоем SiC на механизм роста и структуру эпитаксиальных слоев полуполярных AlN и GaN

В. Н. Бессолов^ab, А. С. Гращенко^a, Е. В. Коненкова^ab, А. В. Мясоедов^b, А. В. Осипов^ac, А. В. Редьков^a, С. Н. Родин^b, В. П. Рубец^d, С. А. Кукушкин<sup>ac

a</sup> Институт проблем машиноведения РАН, г. Санкт-Петербург
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
^d Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет)

Аннотация: Обнаружен новый эффект влияния типа легирования подложки Si(100) с пленкой SiC на механизм роста и структуру эпитаксиальных слоев AlN и GaN. Экспериментально показано, что механизм роста слоев AlN и GaN на поверхности эпитаксиального SiC, синтезированного методом замещения атомов на подложках Si $n$- и $p$-типа проводимости, принципиально различен. Обнаружено, что на поверхности SiC/Si(100) полуполярные слои AlN и GaN растут в эпитаксиальной структуре на подложке $p$-Si и в поликристаллической – на $n$-Si. Предложен новый метод синтеза эпитаксиальных полуполярных слоев AlN и GaN методом хлоридно-гидридной эпитаксии на кремниевой подложке.

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2015, 57:10, 1966–1971

Реферативные базы данных:

•