Эта публикация цитируется в 3 статьях

Полупроводники

Эволюция сигнала антипересечения уровней в магнитолюминесценции локализованных экситонов в твердом растворе GaSe–GaTe

А. Н. Старухин, Д. К. Нельсон, Б. С. Разбирин, Д. Л. Федоров, Д. К. Сюняев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Методом спектроскопии с временны́м разрешением исследована временная зависимость сигнала антипересечения зеемановских подуровней в излучении триплетных локализованных экситонов в полупроводниковом твердом растворе GaSe$_{0.87}$Te$_{0.13}$ в условиях неполяризованной накачки. Показано, что форма сигнала антипересечения существенно меняется в течение времени жизни локализованных экситонов $t$. В момент $t$ = 0 сигнал антипересечения не детектируется, при увеличении $t$ в зависимости интенсивности экситонного излучения от магнитного поля формируется максимум (на этом этапе форма сигнала антипересечения аналогична форме, наблюдаемой в условиях стационарного возбуждения), который при дальнейшем увеличении $t$ расщепляется в дублет. Предложена теоретическая интерпретация наблюдаемой временно́й зависимости сигнала антипересечения зеемановских подуровней в излучении локализованных экситонов. Из сравнения теории с экспериментом определены параметры тонкой энергетической структуры и времена жизни триплетных локализованных экситонов в различных спиновых состояниях.

Поступила в редакцию: 24.12.2014

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2015, 57:10, 1937–1943

Реферативные базы данных:

•