Аннотация:
Проведено численное моделирование зарядового состояния структур, состоящих из металлических наночастиц, расположенных в случайном порядке в пределах одного слоя. Рассматривается случай, когда отсутствуют внешние электрические поля и заряды на частицах возникают в результате термостимулированных туннельных переходов электронов между частицами. Для структур с различной объемной долей частиц, при различных значениях диэлектрической проницаемости и температуры окружающей среды, получены значения средней величины и амплитуды флуктуаций плотности заряда, рассчитаны температурные зависимости доли заряженных частиц. Показано, что процессы релаксации заряда существенно различаются в структурах с исходно нейтральными частицами и в исходно перезаряженных структурах, что приводит к различию квазистационарного зарядового состояния таких структур.