П. С. Крылов, А. С. Берестенников, А. Н. Алешин, А. С. Комолов, И. П. Щербаков, В. Н. Петров, И. Н. Трапезникова, “Эффекты переключения и памяти в композитных пленках полупроводниковых полимеров с частицами графена и оксида графена”, Физика твердого тела, 2015, том 57, выпуск 8,страницы 1639

Эта публикация цитируется в 11 статьях

Полимеры

Эффекты переключения и памяти в композитных пленках полупроводниковых полимеров с частицами графена и оксида графена

П. С. Крылов^ab, А. С. Берестенников^ab, А. Н. Алешин^a, А. С. Комолов^c, И. П. Щербаков^a, В. Н. Петров^a, И. Н. Трапезникова^a

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
^c Санкт-Петербургский государственный университет

Аннотация: Исследованы эффекты переключения в композитных пленках на основе полифункциональных полимеров – производных карбазола (PVK) и флуорена (PFD), а также частиц графена (Gr) и оксида графена (GO). Концентрация частиц Gr и GO в матрице PVK(PFD) варьировалась в пределах 2–3 wt.%, что соответствует порогу перколяции в таких системах. Проведены исследования атомного состава композитных пленок PVK : GO с помощью рентгеновкой фотоэлектронной спектроскопии. Установлено, что эффект переключения в структурах вида Al/PVК(PFD):GO(Gr)/ITO/PET проявляется в резком изменении сопротивления композитной пленки из низкопроводящего в относительно высокопроводящее состояние при подаче смещения на Al–ITO-электроды $\sim$ 0.1–0.3 V ($E\sim$ 3–5 $\cdot$ 10$^4$ V/cm), что ниже пороговых напряжений переключения для других подобных композитов. Обсуждается механизм переключения сопротивления, который ассоциируется с процессами захвата и накопления носителей заряда частицами Gr (GO) помещенными в матрицу как высокомолекулярного (PVК), так и относительно низкомолекулярного (PFD) полимера.

Поступила в редакцию: 11.03.2015