Эта публикация цитируется в 2 статьях

Оптические свойства

Температурная зависимость фотолюминесценции полупроводниковых квантовых точек при непрямом возбуждении в диэлектрической матрице SiO$_2$

А. Ф. Зацепин, Д. Ю. Бирюков

Уральский федеральный университет им. Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия

Аннотация: Рассмотрены процессы возбуждения–релаксации размерно-ограниченных экситонов в полупроводниковых квантовых точках при непрямом высокоэнергетическом возбуждении. Для описания температурного поведения фотолюминесценции квантовых точек в диэлектрической матрице SiO$_2$ использована модель, учитывающая процесс заселения триплетных состояний квантовых точек при переносе возбуждения подвижными экситонами матрицы.
Получены аналитические выражения, учитывающие двухстадийную и трехстадийную схемы релаксационных переходов. Применимость уравнений для анализа люминесцентных свойств полупроводниковых квантовых точек продемонстрирована на примере наночастиц кремния и углерода в тонкопленочной матрице SiO$_2$. Показано, что сложный характер температурных зависимостей при непрямом возбуждении люминесценции может служить признаком многоэтапного процесса релаксации с участием возбужденных состояний матрицы и квантовой точки. Развитые в настоящей работе модельные представления позволяют прогнозировать вид температурных зависимостей фотолюминесценции для различных схем непрямого возбуждения квантовых точек.

Поступила в редакцию: 26.06.2014
Принята в печать: 04.03.2015

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2015, 57:8, 1601–1606

Реферативные базы данных:

•