Эта публикация цитируется в 4 статьях

Диэлектрики

Исследование фотоэлектрической составляющей механизма светоиндуцированного падения сопротивления в кристаллах SrTiO$_3$

С. И. Шаблаев, А. И. Грачев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Результаты экспериментального наблюдения фотоэдс в образце кристалла SrTiO$_3$, демонстрирующем эффект светоиндуцированного падения сопротивления, подтвердили предложенную ранее модель эффекта в ее фотоэлектрической части. Однако кроме ожидавшегося проявления барьерной фотоэдс обнаружен еще один источник фототока, приписанный проявлению линейного фотогальванического эффекта в приповерхностной области кристалла. Предполагается, что главную роль в генерации фотогальванического тока могут играть дипольные центры типа кислородная вакансия-трехзарядный ион титана, ориентируемые электрическим полем поверхностного барьера.

Поступила в редакцию: 18.02.2015

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2015, 57:8, 1500–1504

Реферативные базы данных:

•