Полупроводники

Влияние концентрации интеркалированных атомов и температуры на релаксационные процессы при переносе заряда в соединениях Cu$_x$HfSe$_2$

В. Г. Плещев^a, Н. В. Мельникова^a, Н. В. Баранов<sup>ab

a</sup> Институт естественных наук Уральского федерального университета им. Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
^b Институт физики металлов УрО РАН, Екатеринбург, Россия

Аннотация: На интеркалированных образцах Cu$_x$HfSe$_2$ ($x$ = 0.1, 0.2) впервые получены температурные зависимости импедансных спектров в области частот 0.1 Hz – 5 MHz. Показано, что характерные времена релаксационных процессов уменьшаются при возрастании содержания меди в образцах и при увеличении температуры. При этом область частотной дисперсии комплексной проводимости смещается в область более высоких частот. Частотные и температурные зависимости тангенса угла потерь для исследованных образцов являются характерными для потерь на сквозную проводимость.

Поступила в редакцию: 26.02.2015

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2015, 57:8, 1494–1499

Реферативные базы данных:

•