Эта публикация цитируется в 16 статьях

Полупроводники

Влияние облучения электронами монокристаллов ZnGeP$_2$ на терагерцевые потери в широком интервале температур

С. В. Чучупал^a, Г. А. Командин^a, Е. С. Жукова^ab, О. Е. Породинков^a, И. Е. Спектор^a, А. И. Грибенюков<sup>c

a</sup> Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
^b Московский физико-технический институт (Государственный университет), Долгопрудный, Россия
^c Институт мониторинга климатических и экологических систем СО РАН, г. Томск

Аннотация: Измерены спектры отражения и пропускания облученных электронами с энергией 4 MeV монокристаллических образцов ZnGeP$_2$ в диапазоне частот 5–5000 cm$^{-1}$ в интервале температур 10–300 K. На их основе методом дисперсионного анализа смоделированы спектры комплексной диэлектрической проницаемости $\varepsilon^*(\nu)$ и коэффициента поглощения $\alpha(\nu)$. Установлено, что облучение электронами, снижающее потери в области накачки в 2–3 раза, не приводит к дополнительным потерям в области генерации терагерцевого излучения.

Поступила в редакцию: 26.02.2015

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2015, 57:8, 1607–1612

Реферативные базы данных:

•