Эта публикация цитируется в 3 статьях

Полимеры

Формирование электронной структуры зоны проводимости при осаждении сверхтонких пленок дикарбоксимидзамещенного перилена на поверхность окисленного кремния

А. С. Комолов, Э. Ф. Лазнева, Н. Б. Герасимова, Ю. А. Панина, А. В. Барамыгин, А. Д. Овсянников

Санкт-Петербургский государственный университет

Аннотация: Приведены результаты исследования электронной структуры зоны проводимости и пограничного потенциального барьера при осаждении сверхтонких пленок дикарбоксимидзамещенного перилена (PTCBI-С$_8$) на поверхность окисленного кремния. Для проведения измерений использована методика регистрации отражения от поверхности тестирующего пучка медленных электронов, реализованная в режиме спектроскопии полного тока (СПТ) при изменении энергии падающих электронов от 0 до 25 eV. Проведен анализ изменения интенсивностей максимумов, измеряемых СПТ, исходящих от осаждаемой пленки PTCBI-С$_8$ и от подложки, в процессе увеличения толщины органического покрытия до 7 nm. При сравнении структуры максимумов пленок PTCBI-C$_8$ и перилен-тетракарбонового диангидрида (PTCDA) удалось выделить энергетический диапазон (на 8–13 eV выше $E_{\mathrm{F}}$), в котором наблюдаются отчетливые различия в структуре максимумов для пленок PTCDA и PTCBI-C$_8$. Этот энергетический диапазон соответствует низколежащим $\sigma^*$-состояниям зоны проводимости исследованных пленок. Формирование пограничной области пленки PTCBI-C$_8$ и подложки (SiO$_2$)$_n$-Si сопровождалось увеличением значений работы выхода поверхности на 0.6 eV, что соответствует переносу электронной плотности от подложки (SiO$_2$)$_n$-Si в сторону пленки PTCBI-C$_8$.

Поступила в редакцию: 02.02.2015

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2015, 57:7, 1472–1476

Реферативные базы данных:

•