В. Н. Маслов, В. И. Николаев, В. М. Крымов, В. Е. Бугров, А. Е. Романов, “Осаждение слоев $\beta$-Ga$_2$O$_3$ методом сублимации на сапфировые подложки различных ориентаций”, Физика твердого тела, 2015, том 57, выпуск 7,страницы 1315

Эта публикация цитируется в 8 статьях

Полупроводники

Осаждение слоев $\beta$-Ga$_2$O$_3$ методом сублимации на сапфировые подложки различных ориентаций

В. Н. Маслов^ab, В. И. Николаев^abc, В. М. Крымов^ab, В. Е. Бугров^b, А. Е. Романов^ab

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
^c ООО "Совершенные кристаллы", г. Санкт-Петербург

Аннотация: Методом сублимации на сапфировых подложках различной ориентации получены слои $\beta$-Ga$_2$O$_3$. Исследованы основные закономерности роста кристаллов, морфология слоев и их состав.

Поступила в редакцию: 09.12.2014
Принята в печать: 03.02.2015