Полупроводники

Динамика поляризованной магнитолюминесценции локализованных экситонов в смешанных кристаллах GaSe—GaTe

А. Н. Старухин, Д. К. Нельсон, Б. С. Разбирин, Д. Л. Федоров, Д. К. Сюняев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Методом спектроскопии с временным разрешением исследована индуцированная внешним магнитным полем поляризация излучения триплетных локализованных экситонов в одноосных твердых растворах GaSe–GaTe (геометрия Фойгта). Возникающая в магнитном поле линейная поляризация излучения обусловлена различным поведением в поле компонент излучения, поляризованных с $\mathbf{E}\parallel\mathbf{B}$ и $\mathbf{E}\perp\mathbf{B}$ ($\pi$- и $\sigma$-компонент соответственно). В стационарных условиях возбуждения неполяризованным светом интенсивность $\pi$-компоненты в поле увеличивается, а интенсивность $\sigma$-компоненты плавно уменьшается при увеличении поля. Установлено, что зависимости интенсивностей $\pi$- и $\sigma$-компонент излучения от магнитного поля, $I_{\pi}(B,t)$ и $I_{\sigma}(B,t)$, существенно меняются в течение времени жизни возбужденных состояний $t$. Различная скорость затухания $\pi$- и $\sigma$-компонент приводит к сильной зависимости степени индуцированной магнитным полем линейной поляризации экситонного излучения от времени $t$. Степень линейной поляризации излучения в максимуме экситонной полосы люминесценции в полях $B\ge$ 0.4 T при больших $t$ приближается к 1. Предложено теоретическое описание наблюдаемых зависимостей $I_{\pi}(B,t)$ и $I_{\sigma}(B,t)$ равнения теории и эксперимента определены параметры тонкой структуры и времена жизни триплетных экситонов в различных спиновых состояниях.

Поступила в редакцию: 23.12.2014

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2015, 57:7, 1318–1324

Реферативные базы данных:

•