RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика твердого тела // Архив

Физика твердого тела, 2015, том 57, выпуск 6, страницы 1168–1171 (Mi ftt11531)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Примесные центры

ЭПР и фотолюминесценция кристаллов NaBi(MoO$_4$)$_2$, активированных ионами гадолиния

А. А. Рядун, В. А. Надолинный, Б. Н. Цыдыпова, А. А. Павлюк

Институт неорганической химии им. А. В. Николаева СО РАН, Новосибирск, Россия

Аннотация: Представлены результаты исследования методом ЭПР и фотолюминесценции крупных кристаллов NaBi(MoO$_4$)$_2$, выращенных низкоградиентным методом Чохральского и допированных примесью ионов гадолиния (0.1 wt.%). На основе анализа угловых зависимостей спектров ЭПР установлено, что ионы гадолиния входят в структуру кристалла в состоянии Gd$^{3+}$ и занимают позицию висмута. Рассчитаны параметры спектров ЭПР ионов гадолиния, на основании этих данных проводится аналогия между особенностями вхождения ионов гадолиния в структуру двойных вольфраматов и молибдатов. Наблюдаемое смещение максимума полосы фотолюминесценции кристаллов NaBi(MoO$_4$)$_2$, допированных ионами Gd$^{3+}$ относительно спектра недопированного кристалла предполагает влияние ионов гадолиния на формирование дна зоны проводимости, которое обусловлено состояниями аниона (MoO$_4$)$^{2-}$.

Поступила в редакцию: 29.09.2014
Принята в печать: 25.11.2014


 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2015, 57:6, 1188–1191

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026