Аннотация:
Представлены результаты исследования методом ЭПР и фотолюминесценции крупных кристаллов NaBi(MoO$_4$)$_2$, выращенных низкоградиентным методом Чохральского и допированных примесью ионов гадолиния (0.1 wt.%). На основе анализа угловых зависимостей спектров ЭПР установлено, что ионы гадолиния входят в структуру кристалла в состоянии Gd$^{3+}$ и занимают позицию висмута. Рассчитаны параметры спектров ЭПР ионов гадолиния, на основании этих данных проводится аналогия между особенностями вхождения ионов гадолиния в структуру двойных вольфраматов и молибдатов. Наблюдаемое смещение максимума полосы фотолюминесценции кристаллов NaBi(MoO$_4$)$_2$, допированных ионами Gd$^{3+}$ относительно спектра недопированного кристалла предполагает влияние ионов гадолиния на формирование дна зоны проводимости, которое обусловлено состояниями аниона (MoO$_4$)$^{2-}$.
Поступила в редакцию: 29.09.2014 Принята в печать: 25.11.2014