Эта публикация цитируется в 14 статьях

Механические свойства, физика прочности и пластичность

Дислокационные петли в сплошных и полых полупроводниковых и металлических наногетероструктурах

М. Ю. Гуткин^abc, С. А. Красницкий^bc, А. М. Смирнов^c, А. Л. Колесникова^acd, А. Е. Романов<sup>cde

a</sup> Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
^c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, Санкт-Петербург, Россия
^d Тольяттинский государственный университет, Тольятти, Россия
^e Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Рассмотрены теоретические модели релаксации напряжений несоответствия в сплошных и полых композитных наночастицах полупроводников и металлов типа “ядро-оболочка” за счет образования дислокаций двух типов: круговой призматической дислокационной петли (ПДП), залегающей на границе раздела в экваториальной плоскости наночастицы, и прямоугольной ПДП, прорастающей со свободной поверхности такой наночастицы и вытянутой вдоль ее поверхности. Проведено сравнение критических условий зарождения таких петель. Показано, что в случае относительно малых значений решеточного несоответствия материалов ядра и оболочки выгодно либо когерентное (бездислокационное) состояние наночастицы, либо ее релаксированное состояние с круговой ПДП на границе раздела. При больших значениях несоответствия когерентное состояние невыгодно. В этом случае по мере роста толщины оболочки можно ожидать сначала появления прямоугольных ПДП, потом круговых ПДП при сохранении прямоугольных ПДП, а затем постепенного разрастания и трансформации прямоугольных ПДП в круговые.

Поступила в редакцию: 08.12.2014

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2015, 57:6, 1177–1182

Реферативные базы данных:

•