Эта публикация цитируется в 13 статьях

Сегнетоэлектричество

Кинетика роста индуцированных доменов в сегнетоэлектрических тонких пленках Ba$_{0.8}$Sr$_{0.2}$TiO$_3$

Д. А. Киселев^ab, М. С. Афанасьев^b, С. А. Левашов^b, Г. В. Чучева<sup>b

a</sup> Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
^b Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, Фрязино, Россия

Аннотация: Показана возможность создания устойчивых доменных состояний в пленках Ba$_{0.8}$Sr$_{0.2}$TiO$_3$ методом силовой микроскопии пьезоэлектрического отклика как на исходной поверхности, так и в предварительно поляризованной области пленки. Проведен расчет скорости бокового движения доменной стенки, коэрцитивного поля, минимального размера домена и времени записи для создания домена приложенным напряжением.

Поступила в редакцию: 15.12.2014

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2015, 57:6, 1151–1154

Реферативные базы данных:

•