Фазовые переходы, рост кристаллов

Просвечивающая электронная микроскопия процесса кристаллизации пленок аморфного оксида железа

А. М. Мурзакаев

Институт электрофизики УрО РАН, Екатеринбург, Россия

Аннотация: Исследован механизма роста трансротационных кристаллов в аморфных тонких пленках оксида железа. Рост кристаллов и структура кристаллизованных областей в аморфных тонких пленках Fe$_2$O$_3$ изучены in situ в просвечивающем электронном микроскопе. Структурные изменения были выявлены методами электронографии (дифракции электронов выбранной области). Исследования с помощью просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения выявили вакансии кислорода в образцах Fe$_2$O$_3$. Установлено, что они размещаются путем формирования плоскостей кристаллографического сдвига. Обработка и анализ изображений просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения выявили большое количество дислокаций и дисклинаций. Все типы выявленных с помощью просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения дефектов кристаллической решетки, и особенно дислокации с дисклинациями, могут способствовать образованию (возникновению) трансротационной кристаллической решетки.

Ключевые слова: аморфные пленки, трансротационный кристалл, ПЭМВР, кристаллографический сдвиг, дефекты упаковки, дислокация, дисклинация.

Поступила в редакцию: 23.04.2025
Исправленный вариант: 20.05.2025
Принята в печать: 27.05.2025

DOI: 10.61011/FTT.2025.05.60753.91-25

Реферативные базы данных:

•