Полупроводники

Оптические свойства эпитаксиальных пленок Hg$_{0.3}$Cd$_{0.7}$Te, легированных индием

М. С. Ружевич^a, К. Д. Мынбаев^b, Н. Л. Баженов^b, М. В. Дорогов^a, В. С. Варавин^c, В. Г. Ремесник^c, И. Н. Ужаков^c, Н. Н. Михайлов<sup>c

a</sup> Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^c Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия

Аннотация: Приведены результаты исследований оптических свойств пленок Hg$_{0.3}$Cd$_{0.7}$Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии и легированных индием. Использованы методы оптического отражения и пропускания, а также фотолюминесценции. По данным фотолюминесценции, введение индия привело к образованию донорного уровня с энергией ионизации 10–12 meV. Пленки с концентрацией индия 10$^{16}$–10$^{17}$ cm$^{-3}$ показали устойчивость свойств к термическому отжигу, в том числе, в составе гетерокомпозиции HgTe/Hg$_{0.3}$Cd$_{0.7}$Te. При концентрациях индия $>$ 10$^{18}$ cm$^{-3}$ эта устойчивость теряется из-за взаимодействия примеси с собственными дефектами.

Ключевые слова: HgCdTe, легирование, дефекты, фотолюминесценция.

Поступила в редакцию: 20.05.2025
Исправленный вариант: 22.05.2025
Принята в печать: 22.05.2025

DOI: 10.61011/FTT.2025.05.60742.131-25

Реферативные базы данных:

•