Аннотация:
Изучена динамика образования комплекса MgO в процессе диффузии магния в кремнии, выращенном методом Чохральского (Cz–Si) с содержанием кислорода $\sim$ 3 $\cdot$ 10$^{17}$ cm$^{-3}$. Обнаружено, что комплексы MgO образуются только при температурах выше 1100$^\circ$C. При более низких температурах атомы магния находятся в связанном состоянии, предположительно в виде частиц, либо фазы Mg$_2$Si. Образование комплексов происходит после диссоциации Mg$_2$Si на Mg и Si при повышении температуры. Таким образом, экспериментальные результаты подтверждают предположение о том, что электрически неактивной компонентой примеси магния в кристалле является соединение Mg$_2$Si.
Полный текст:
PDF файл (145 kB)