Эта публикация цитируется в 5 статьях

Графены

Электрический транспорт в графене с различными интерфейсными условиями

А. В. Бутко^ab, В. Ю. Бутко<sup>ac

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
^c Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет), Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: В интервале от комнатной температуры до температуры кипения азота исследовалось влияние интерфейса на электросопротивление химически осаженного из газовой фазы (CVD) графена. Сопротивление монослойного CVD-графена для случаев соприкосновения графена с подложками Si/SiO$_2$ и GaAs демонстрирует близкую к линейной металлическую температурную зависимость с практически совпадающим наклоном нормированных кривых. Данный наклон соответствует росту сопротивления графена на $\sim$ 8% при нагреве от температуры кипения азота до комнатной. В этом же температурном интервале для четырехслойного графена наблюдается полупроводниковая температурная зависимость. Установлено, что напыление органического изолятора (парилена) на четырехслойный графен увеличивает наклон этой зависимости на $\sim$ 5% и при комнатной температуре повышает сопротивление графена на $\sim$ 20%.

Поступила в редакцию: 08.12.2014

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2015, 57:5, 1048–1050

Реферативные базы данных:

•