Аннотация:
Методом лазерного испарения выращены трехслойные эпитаксиальные гетероструктуры, в которых промежуточный слой Ba$_{0.05}$Sr$_{0.95}$TiO$_3$ толщиной 1000 nm интегрирован с проводящими электродами из рутената стронция. С использованием фотолитографии и ионного травления на базе гетероструктур сформированы плоскопараллельные пленочные конденсаторы SrRuO$_3$/Ba$_{0.05}$Sr$_{0.95}$TiO$_3$/SrRuO$_3$. Резкий максимум на температурной зависимости емкости конденсаторов наблюдался при $T\approx$ 75 K. При $T<$ 100 K величина емкости уменьшалась на 50–60% при подаче на оксидные электроды напряжения смещения $V_b$ = $\pm$ 2.5 V. Получена оценка удельной емкости ($\sim$ 2.1 $\mu$F/cm$^2$) межфазной границы (110)Ba$_{0.05}$Sr$_{0.95}$TiO$_3$/(110)SrRuO$_3$. При $T>$ 250 K и частоте измерительного сигнала 1 kHz тангенс угла диэлектрических потерь пленочных конденсаторов возрастал экспоненциально с повышением температуры.