Эта публикация цитируется в 13 статьях

Сегнетоэлектричество

Электронно-лучевая запись микродоменов на неполярной поверхности кристаллов LiNbO$_3$ при различных ускоряющих напряжениях РЭМ

Л. С. Коханчик^a, Р. В. Гайнутдинов^b, Т. Р. Волк<sup>b

a</sup> Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Россия
^b Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова РАН, Москва, Россия

Аннотация: Исследовано влияние ускоряющего напряжения $U$ электронного луча РЭМ на характеристики микродоменов, записанных электронно-лучевым методом на неполярной $Y$-поверхности кристаллов LiNbO$_3$. Толщина $T_d$ доменов вдоль направления $Y$ определяется глубиной пробега Re первичных электронов, зависящей от $U$. Благодаря этому величина $T_d$ может быть задана в интервале $\sim$ 0.2–4 $\mu$m при $U$ = 5–25 kV соответственно. Выполнены оценки коэффициента эмиссии электронов $\sigma$ для различных $U$, превышающих значение второй равновесной точки $U_2$ $(\sigma=1)$ на диаграмме $\sigma(U)$. По этим данным построена зависимость $\sigma(U)$ для LiNbO$_3$. На основании экспозиционных характеристик длины $L_d$ доменов, растущих вдоль полярной оси $Z$, установлена зависимость поля пространственного заряда, определяющего планарный рост доменов вдоль $Z$, от поверхностной эмиссии электронов $\sigma$.

Поступила в редакцию: 17.11.2014

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2015, 57:5, 949–956

Реферативные базы данных:

•