Эта публикация цитируется в 2 статьях

Магнетизм

Магнитоупругое взаимодействие в системе ферромагнетик–мультиферроик

Д. Л. Винокуров

МИРЭА — Российский технологический университет, Москва, Россия

Аннотация: Изучен вклад упругого взаимодействия в полную энергию взаимодействия ферромагнитного нанослоя с нанослоем мультиферроика BiFeO$_3$. Показано, что он составляет менее 10%, а основной вклад в энергию обусловлен обменным взаимодействием. Получено ограничение снизу на минимальный размер бита магниторезистивной памяти с записью электрическим полем (MERAM), связанное с существованием суперпарамагнитного предела. Если запись основана на обменном взаимодействии между слоем ферромагнетика и электрочувствительным слоем, то минимальный размер бита составляет 7 nm, что указывает на перспективность данного вида MERAM.

Поступила в редакцию: 30.10.2014

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2015, 57:5, 924–928

Реферативные базы данных:

•