Эта публикация цитируется в 9 статьях

Диэлектрики

Нестационарная фотоэдс в широкозонном диэлектрике MnO

М. А. Брюшинин, А. А. Петров, Р. В. Писарев, И. А. Соколов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Несмотря на то, что оксид марганца является широкозонным диэлектриком с шириной запрещенной зоны $E_g\backsimeq$ 4 eV и в нелегированном состоянии характеризуется высоким удельным сопротивлением, экспериментально обнаружено явление нестационарной фотоэдс на динамических решетках объемного заряда, формируемых в MnO светом с энергией фотонов 1.96 eV ($\lambda$ = 633 nm). Изучены зависимости амплитуды сигнала фотоэдс от частоты фазовой модуляции, интенсивности света и пространственной частоты интерференционной картины. Для объяснения необычной частотной зависимости сигнала использована двухуровневая модель полупроводника, учитывающая присутствие мелких ловушек в кристалле. Определены фотоэлектрические параметры материала.

Поступила в редакцию: 19.11.2014

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2015, 57:5, 907–913

Реферативные базы данных:

•