Физика поверхности, тонкие пленки

Изменение при легировании хромом структуры диэлектрических спектров пленок диоксида ванадия

А. В. Ильинский^a, Р. А. Кастро^b, В. А. Климов^a, А. А. Кононов^b, Е. Б. Шадрин<sup>a

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^b Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Показано, что увеличение степени легирования хромом тонких пленок VO$_2$ приводит к понижению частот особенностей их диэлектрических спектров и к повышению температуры фазового перехода полупроводник-металл. На основании формулы Дебая выполнены расчеты параметров диэлектрических спектров с привлечением функции Гавриляка–Негами. Проведен макроскопический и микроскопический анализ механизма формирования особенностей экспериментальных диэлектрический спектров. Выявлена роль Cr–Cr-димеров повышенной прочности в формировании спектров сильно легированной пленки VO$_2$:Cr.

Ключевые слова: тонкие пленки VO$_2$, диэлектрические спектры.

Поступила в редакцию: 07.03.2025
Исправленный вариант: 09.03.2025
Принята в печать: 10.03.2025

DOI: 10.61011/FTT.2025.04.60556.48-25

Реферативные базы данных:

•