Аннотация:
Проведены измерения статической магнитной восприимчивости гибридных структур SiC/Si, выращенных методом согласованного замещения атомов (метод MCSA) при различных временах синтеза. Измерения статической восприимчивости образцов проводились методом Фарадея на установке Faraday Balance, созданной на базе спектрометра MGD 312 FG. Результаты измерений показали, что все структуры SiC/Si, вне зависимости от времени их синтеза, являются диамагнетиками $(\chi<0)$, а абсолютное значение их магнитной восприимчивости, измеренной при комнатной температуре, более чем на три порядка превышает абсолютные значения магнитной восприимчивости как кремния, так и карбида кремния. В результате проведения структурных исследований как слоя SiC, так и межфазной границы раздела SiC/Si, методом просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения обнаружено, что основной вклад в диамагнетизм гибридной структуры вносит переходный слой на границе раздела SiC/Si. Обнаружено, что этот слой состоит из двойниковых упорядоченных слоев, расположенных параллельно границе интерфейса в плоскости (111) с периодом равным 0.252 nm с тройной периодичностью, т. е. с интервалом 0.756 nm. Квантово-механические расчеты показали, что эти двойниковые упорядоченные слои содержат упорядоченные ансамбли кремниевых вакансий, расположенные вдоль направления $\langle1\bar10\rangle$.
Полный текст:
PDF файл (2271 kB)