Эта публикация цитируется в 3 статьях

Системы низкой размерности

Формирование силицидов марганца на поверхности Si(111)7 $\times$ 7

М. В. Гомоюнова^a, Г. С. Гребенюк^a, И. И. Пронин^a, Б. В. Сеньковский^bc, Д. В. Вялых<sup>bc

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский государственный университет
^c Institute of Solid State Physics, Dresden University of Technology, Dresden, Germany

Аннотация: Методом фотоэлектронной спектроскопии высокого энергетического разрешения с использованием синхротронного излучения исследованы начальные стадии роста пленок марганца на поверхности Si(111)7 $\times$ 7, находящейся при комнатной температуре, и реакции твердофазного синтеза силицидов марганца, протекающие при отжиге этих пленок в диапазоне температур до 600$^\circ$C. Показано, что нанесение Mn на поверхность кремния приводит к образованию интерфейсного силицида марганца и пленки твердого раствора кремния в марганце. Рост металлической пленки марганца начинается после нанесения $\sim$6 $\mathring{\mathrm{A}}$ Mn. При этом в диапазоне покрытий до 17 $\mathring{\mathrm{A}}$ Mn наблюдается сегрегация кремния. Отжиг образца, на поверхность которого было нанесено 25 $\mathring{\mathrm{A}}$ Mn, проводимый в интервале температур 200 $\div$ 400$^\circ$C, приводит к формированию твердого раствора Mn–Si и моносилицида марганца. Дальнейшее повышение температуры до 600$^\circ$C приводит к перестройке MnSi в полупроводниковый силицид MnSi$_{1.7}$.

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2015, 57:3, 624–630

Реферативные базы данных:

•