А. В. Павленко, Н. А. Николаев, Д. В. Стрюков, А. А. Рыбак, В. А. Бобылев, “Влияние толщины монокристаллической пленки SrTiO$_3$ на ее структуру и диэлектрические параметры в диапазоне 0.3–1.5 THz”, Физика твердого тела, 2025, том 67, выпуск 3,страницы 538

Физика поверхности, тонкие пленки

Влияние толщины монокристаллической пленки SrTiO$_3$ на ее структуру и диэлектрические параметры в диапазоне 0.3–1.5 THz

А. В. Павленко^ab, Н. А. Николаев^c, Д. В. Стрюков^a, А. А. Рыбак^c, В. А. Бобылев^b

^a Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
^b Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону, Россия
^c Институт автоматики и электрометрии СО РАН, Новосибирск, Россия

Аннотация: На подложках Al$_2$O$_3$(001) с использованием метода ВЧ катодного распыления выращены монокристаллические тонкие пленки титаната стронция (SrTiO$_3$, STO) различной толщины $(h)$: 60, 120 и 270 nm. С использованием рентгено-дифракционного анализа установлено, что все пленки STO характеризуются псевдокубической ячейкой и имеют близкую деформацию элементарной ячейки. С помощью метода импульсной терагерцовой спектроскопии показано, что в диапазоне частот 0.3–1.5 THz пленки характеризуются практически отсутствием дисперсии действительной $(\varepsilon')$ части диэлектрической проницаемости, но по мере снижения $h$ имеет место существенный рост $\varepsilon'$.

Ключевые слова: тонкие пленки, диэлектрические характеристики, гетероэпитаксия, STO, импульсная терагерцовая спектроскопия.

Поступила в редакцию: 01.10.2024
Исправленный вариант: 20.10.2024
Принята в печать: 09.03.2025

DOI: 10.61011/FTT.2025.03.60267.249