Диэлектрики

Формирование электроиндуцированных приповерхностных слоев в полярном направлении кристаллов триглицинсульфата

В. И. Аккуратов, А. Г. Куликов, Ю. В. Писаревский, Е. С. Иванова

Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова, Курчатовский комплекс кристаллографии и фотоники, НИЦ "Курчатовский институт", Москва, Россия

Аннотация: Методом рентгеновской топографии впервые получены изображения слоев пространственного заряда, формируемых в приповерхностных областях сегнетоэлектрического кристалла триглицинсульфата собственным и внешним электрическими полями вдоль полярного направления [010]. Указанные слои проявляются в увеличении интегральной интенсивности рентгеновского излучения, что указывает на формирование экстинкционного контраста для дифракционного отражения 060 с гораздо менее выраженными изменениями для 400. При повышении напряженности внешнего поля до 150 V/mm наблюдается рост интенсивности в данных областях и отсутствие изменений в центре кристалла, что указывает на компенсацию электрического поля в объеме за счет группировки свободных носителей заряда в слое толщиной порядка 1 mm. Эффект зависит от полярности и обратим при снятии внешнего электрического поля. Приложение поля вдоль неполярного направления [100] не вызывает изменений на топограммах.

Ключевые слова: приповерхностный заряженный слой, рентгеновская дифрактометрия, рентгеновская топография, сегнетоэлектрики, внешнее электрическое поле, движение носителей заряда.

Поступила в редакцию: 22.01.2025
Исправленный вариант: 11.03.2025
Принята в печать: 12.03.2025

DOI: 10.61011/FTT.2025.03.60258.16-25

Реферативные базы данных:

•