Полупроводники

Измерение уровня легирования нитевидных нанокристаллов с помощью спектроскопии комбинационного рассеяния

В. А. Шаров^ab, П. А. Алексеев^a, В. В. Федоров^b, И. С. Мухин<sup>b

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^b Академический университет им. Ж.И. Алферова РАН, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Развитие методов диагностики уровня легирования эпитаксиальных полупроводниковых нитевидных нанокристаллов является важной задачей на пути к их промышленному внедрению. В настоящей работе предложен метод оценки уровня легирования по спектрам комбинационного рассеяния. Проведен анализ спектров от одиночных вертикальных нитевидных нанокристаллов фосфида галлия из серии образцов с различным уровнем и типом легирования. Показана взаимосвязь между интенсивностью и шириной продольной оптической фононной моды с уровнем легирования кристаллов, обусловленная фонон-плазмонным взаимодействием.

Ключевые слова: GaP, нитевидные нанокристаллы, легирование, комбинационное рассеяние, плазмон-фононное взаимодействие, молекулярно-пучковая эпитаксия.

Поступила в редакцию: 16.01.2025
Исправленный вариант: 14.02.2025
Принята в печать: 22.02.2025

DOI: 10.61011/FTT.2025.03.60256.11-25

Реферативные базы данных:

•