Сверхпроводимость

Ток распаривания и диодный эффект в мостике с разупорядоченными поверхностными слоями

П. И. Безотосный, К. А. Дмитриева

Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия

Аннотация: Рассматривается сверхпроводящее состояние узких мостиков с разупорядоченными на границах слоями из нормального металла. В рамках теории Гинзбурга–Ландау рассчитаны критические ток и магнитное поле данных структур. Изучен диодный эффект в подобных мостиках. Сделанные в рамках представленной модели оценки тока распаривания находятся в количественном согласии с экспериментальными данными для мостиков из Nb и NbN. Показано, что средняя диодная эффективность в рассматриваемом случае может достигать 18%.

Ключевые слова: сверхпроводящие мостики, критический ток, теория Гинзбурга–Ландау, диодный эффект.

Поступила в редакцию: 19.09.2024
Исправленный вариант: 18.02.2025
Принята в печать: 16.03.2025

DOI: 10.61011/FTT.2025.03.60254.243

Реферативные базы данных:

•