Аннотация:
Предложен микроскопический механизм сегнетоэлектрической неустойчивости, основанный на представлении о том, что в сегнетофазе основным состоянием системы должно стать состояние с ненулевым постоянным электрическим полем внутри кристалла. Показано, что этот подход может дать единое описание физического механизма для переходов, традиционно считавшихся переходами разного типа: “типа смещения” и типа “порядок-беспорядок”. Зависимость свободной энергии от поляризации отличается от функционала Гизбурга–Ландау, хотя и обладает похожими свойствами и сводится к обычному функционалу Гинзбурга–Ландау вблизи температуры перехода.
Полный текст:
PDF файл (242 kB)