Аннотация:
Анализируется интерфейс гибридного галогенидного перовскита типа MAPbX$_3$ с золотом – одним из электродных материалов, считающихся оптимальными. Интерфейс рассматривается как идеальный и формирующий сверхрешетку, что частично реализовано в известной литературе. Рассмотрение, проводимое методом стационарного гриновского оператора, показывает, что уровни золота, расположенные выше энергии Ферми, формируют в запрещенной зоне перовскита поверхностные состояния, на которые могут перемещаться электроны металла (металлоиндуцированные состояния). Совместно с интенсивной электромиграцией ионов галогена в гибридных перовскитах такое перемещение обеспечивает эффективный канал токопереноса в перовскитовых ячейках.