Аннотация:
Обнаружено влияние концентрации дырок на ферромагнетизм кластеров MnSb в пленках GaMnSb. Высокая концентрация дырок приводит к их туннелированию сквозь барьер Шоттки на границе кластер-кристаллическая решетка и изменению намагниченности кластеров. Микроволновое сопротивление пленок зависит от спиновой поляризации дырок, управляемой намагниченностью кластеров и внешним магнитным полем. Установлены параметры кристаллической анизотропии ферромагнитных кластеров и диполь-дипольного взаимодействия между ними.