Эта публикация цитируется в 2 статьях

Полупроводники

Упругое рассеяние экситонных поляритонов

Н. С. Аверкиев^a, Г. М. Савченко^b, Р. П. Сейсян<sup>a

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)

Аннотация: Проведен теоретический расчет вероятности упругого рассеяния на примесях экситонных поляритонов, в тонких образцах GaAs. Показано, что в тонких образцах технически чистого GaAs выполняются условия существования экситонных поляритонов, и продемонстрировано, что в GaAs учет поляритонного эффекта приводит лишь к незначительному уменьшению вероятности рассеяния, рассчитанной для “голого” экситона. Обсуждается роль упругого рассеяния экситонных поляритонов в поглощении света полупроводником.

Поступила в редакцию: 01.09.2014

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2015, 57:2, 290–295

Реферативные базы данных:

•