Эта публикация цитируется в 4 статьях

Полупроводники

Проявления спин-зависимой рекомбинации в послесвечении кристаллов оксида цинка

А. С. Гурин, Н. Г. Романов, Д. О. Толмачев, П. Г. Баранов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Методом высокочастотного (94 GHz) оптически детектируемого магнитного резонанса (ОДМР) исследовано длительное послесвечение при гелиевых температурах монокристаллов ZnO, выращенных гидротермальным методом. Регистрация по интенсивности послесвечения гигантских (до 30%) сигналов электронного парамагнитного резонанса мелких доноров и глубоких акцепторов, представляющих собой атомы лития, замещающие цинк в решетке ZnO, однозначно указывает на спин-зависимый характер донорно-акцепторной рекомбинации. Обнаружены изменения формы зарегистрированных по послесвечению спектров ОДМР акцепторов лития в зависимости от интервала времени, прошедшего после прекращения облучения, которые связаны с различием рекомбинации мелких доноров с аксиальными и неаксиальными центрами LiZn и изменением характера рекомбинации со временем.

Поступила в редакцию: 22.07.2014

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2015, 57:2, 280–284

Реферативные базы данных:

•