Эта публикация цитируется в 2 статьях

Полупроводники

Модель барьерной проводимости в поликристаллах сульфида самария

В. В. Каминский, С. А. Казаков, М. В. Романова, Н. В. Шаренкова, М. А. Гревцев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: На основании исследования зависимости энергии активации электропроводности в полупроводниковых образцах поликристаллов сульфида самария предложена модель барьерной проводимости. Показано, что высота потенциальных энергетических барьеров, преодолеваемых электронами проводимости в процессе электропереноса, находится в пределах 0–0.08 eV. Наличие потенциальных барьеров связано со стыковкой соседних кристаллитов в поликристалле при его отжиге. Вне зависимости от метода синтеза материала энергия активации проводимости при температурах 300–400 K может иметь значения от 0.04 до 0.12 eV и определяется лишь температурой отжига образца.

Поступила в редакцию: 21.07.2014

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2015, 57:2, 277–279

Реферативные базы данных:

•