Эта публикация цитируется в 2 статьях

Графены

Об электронном состоянии атома, адсорбированного на эпитаксиальном графене, сформированном на металлической и полупроводниковой подложках

С. Ю. Давыдов^ab, А. А. Лебедев<sup>ab

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики

Аннотация: Предложена теоретическая схема вычисления плотности состояний и числа заполнения адатома. В рамках теории возмущений рассмотрены два предельных случая связи в адсорбционной системе адатом-однослойный графен-субстрат: случаи сильной и слабой связи графена с подложкой. С использованием простых моделей изучено влияние металлического и полупроводникового субстратов на электронное состояние адатома. Во всех рассмотренных случаях показано, что поправки первого порядка теории возмущений понижают число заполнения адатома.

Поступила в редакцию: 22.07.2014

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2015, 57:1, 213–218

Реферативные базы данных:

•