Эта публикация цитируется в 18 статьях

Физика поверхности, тонкие пленки

Релаксация деформаций несоответствия за счет пор и отслоений и условия образования дислокаций, трещин и гофров в эпитаксиальной гетероструктуре AlN(0001)/SiC/Si(111)

Р. С. Телятник^a, А. В. Осипов^a, С. А. Кукушкин<sup>ab

a</sup> Институт проблем машиноведения РАН, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: На примере гетероструктуры AlN/SiC/Si предложен метод, позволяющий по экспериментальной зависимости кривизны пластины от температуры рассчитать деформированное состояние многослойных эпитаксиальных пленок, вызванное деформациями несоответствия решеток и коэффициентов тепловых расширений кристаллов. Метод позволяет оценить дефектность гетероструктуры по величине “снимаемых” дефектами механических напряжений, вызванных деформациями несоответствия. Обнаружены особенности формирования рельефа пленок AlN, выращенных на подложках SiC/Si, полученных методом замещения атомов. Рассчитаны критерии образования и преимущественные ориентации дефектов: дислокаций, трещин, отслаиваний, бугров в пленках AlN. Для этого методами вычислительной квантовой химии для различных граней рассчитаны поверхностные энергии и энергии адгезии для разных двойникований на границе полупроводников.

Поступила в редакцию: 10.07.2014

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2015, 57:1, 162–172

Реферативные базы данных:

•