Эта публикация цитируется в 3 статьях

Примесные центры

Изотопно-индуцированная генерация парамагнитных дефектов при пластическом деформировании кристаллов $^{29}$Si

О. В. Коплак^ab, А. И. Дмитриев^ac, Р. Б. Моргунов<sup>ac

a</sup> Институт проблем химической физики РАН, г. Черноголовка Московской обл.
^b Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко
^c Московский государственный гуманитарный университет им. М. А.  Шолохова

Аннотация: Обнаружено, что количество парамагнитных кластеров, образующихся при пластической деформации кристаллов кремния, увеличивается в кристаллах, обогащенных изотопом $^{29}$Si. Установлено, что в деформационных кластерах парамагнитных дефектов имеются антиферромагнитные спин-спиновые взаимодействия с энергией $\sim$ 30–50 K. Влияние сверхтонкого взаимодействия на спин-зависимые реакции кремния с кислородом либо изменение упругих констант и дилатации кристаллической решетки могут быть причинами образования деформационных дефектов в обогащенных кристаллах $^{29}$Si.

Поступила в редакцию: 22.04.2014
Принята в печать: 25.06.2014

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2015, 57:1, 100–105

Реферативные базы данных:

•