Эта публикация цитируется в 10 статьях

Сегнетоэлектричество

Зонно-энергетическая структура кристаллов LiNH$_4$SO$_4$

М. Я. Рудиш, В. И. Стадник, Р. С. Брезвин, П. А. Щепанский

Львовский национальный университет им. И. Франко

Аннотация: В рамках теории функционала электронной плотности установлено генетическое происхождение и рассчитаны зонно-энергетическая структура, а также полная и парциальная плотности электронных состояний кристаллов LiNH$_4$SO$_4$. Определены координаты атомов водорода в группах, уточнены позиции атомов в кристаллической решетке, а также параметры решетки. Установлено, что ширина запрещенной зоны кристаллов LiNH$_4$SO$_4$ составляет 5.32 eV.

Поступила в редакцию: 30.04.2014
Принята в печать: 09.07.2014

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2015, 57:1, 53–58

Реферативные базы данных:

•