Физика поверхности, тонкие пленки

Электронно-дифракционное изучение преобразования реконструкции 6$\sqrt{3}$ на поверхности 4H-SiC(0001) в квазисвободный эпитаксиальный графен

И. С. Котоусова^a, С. П. Лебедев^a, В. В. Антипов^b, А. А. Лебедев<sup>a

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Методом дифракции быстрых электронов на отражение (ДБЭО) проведено структурное исследование преобразования реконструкции 6$\sqrt{3}$ на поверхности подложки 4H-SiC в среде Ar с коротким временем сублимационного отжига, в квазисвободный эпитаксиальный графен, благодаря применению интеркаляции водорода на границе верхнего слоя SiC с соседним реконструированным слоем. Установлено нарушение однородности в образовании слоя реконструкции 6$\sqrt{3}$. Проведено сопоставление результатов структурного исследования кристаллической структуры квазисвободного графена и однослойного графена с буферным слоем без применения интеркаляции.

Ключевые слова: SiC, реконструкция, интеркаляция, графен, ДБЭО.

Поступила в редакцию: 11.08.2022
Исправленный вариант: 11.08.2022
Принята в печать: 19.08.2022

DOI: 10.21883/FTT.2022.12.53662.458

Реферативные базы данных:

•